태양광 솔라 사업부

수평식 저압붕소 확산설비
(Horizontal Low Pressure Boron Diffusion Equipment)
PoCl
장비 이름 수평형 저압 붕소 확산 장비
장비 모델 IDF-700 / IDF-730
장비 적용 저압, 고온 붕소 확산 및 도핑
기능 1. 성숙한 BBr3 액체 소스 및 BCL3 가스 소스 제어 및 전달 기술
2. 독자적인 고유한 기술
3. 독자적인 이중 중첩 퍼니스 도어 구조.
4. 고속 및 안정적인 일체형 모듈 보트 추진 메커니즘.
5. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템.
사양 최대 호환되는 실리콘 크기 : □ 230mm
      (Max. compatible wafer size : □ 230 mm)
단기관수 : 5관 / 6관
      (tube configuration : 5 tubes / 6 tubes)
기종 (Model) □ 182 □ 210
IDF-700 1600 편/관 (Pcs/Tube) 1600 편/관 (Pcs/Tube)
IDF-730 2640 편/관 (Pcs/Tube) 2400 편/관 (Pcs/Tube)
기종 (Model) □ 182 □ 210
IDF-700(6관/Tubes) 2800 pcs/h 2800 pcs/h
IDF-730(6관/Tubes) 4650 pcs/h 4200 pcs/h
기종 (Model) 5 관/Tubes 6 관/Tubes
IDF-700 9094 x 2450 x 3995 -
IDF-730 9570 x 2450 x 4410 9570 x 2450 x 4750
수평식 저압 산화/어닐링 설비
(Horizontal Low Pressure Oxidation / Annealing Equipment)
Oxidation
장비 이름 수평 저압 산화/어닐링 장비
장비 모델 IOA-600 / IOA-630
장비 적용 저압 산화, 어닐링
기능 1. 높은 처리량
2. 붕소 확산 공정과 호환되거나 업그레이드될 수 있는 관련 기술 지원
3. 독자적인 이중 중첩 퍼니스 도어 구조
4. 고속 및 안정적인 일체형 모듈 보트 추진 메커니즘
5. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
사양 최대 호환되는 실리콘 크기 : □ 230mm
      (Max. compatible wafer size : □ 230 mm)
단기관수 : 5관 / 6관
      (tube configuration : 5 tubes / 6 tubes)
기종 (Model) □ 182 □ 210
IPD-300 558 편/관 (Pcs/Tube) 448 편/관 (Pcs/Tube)
IPD-330 640 편/관 (Pcs/Tube) 504 편/관 (Pcs/Tube)
기종 (Model) Topcon PERC
□ 182 □ 210 □ 182 □ 210
IOA-600 (6관/Tubes) 4800 pcs/h 4800 pcs/h 9600 pcs/h 9600 pcs/h
IOA-630 (6관/Tubes) 7900 pcs/h 7200 pcs/h 15850 pcs/h 14400 pcs/h
기종 (Model) 5 관/Tubes 6 관/Tubes
IOA-600 9080 x 2450 x 3800 -
IOA-630 9888 x 2450 x 4100 9570 x 2450 x 4750
수평식 PE CVD
(Horizontal PE CVD)
PE CVD
장비 이름 수평 PE CVD
장비 모델 IPD-300 / IPD-330
장비 적용 SiN, SiON 등의 증착
기능 1. 신뢰할 수 있는 전극 접촉으로 먼지와 고주파 경보의 빈도를 효과적으로 줄임
2. 간단하고 안정적인 자동 보트 로딩 및 언로딩 장치는 유지 관리 공간과 장비의 편의성을 향상시킴
3. 단면 설치 및 유지 관리, 장비 유지 관리에 영향을 주지 않고 연속 장비의 설치 공간을 줄임
4. 고속 및 안정적인 일체형 모듈 보트 추진 메커니즘
5. 신속한 코팅 기술
6. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
사양 최대 호환되는 실리콘 크기 : □ 230mm
      (Max. compatible wafer size : □ 230 mm)
단기관수 : 5관 / 6관
      (tube configuration : 5 tubes / 6 tubes)
기종 (Model) □ 182 □ 210
IPD-300 558 편/관 (Pcs/Tube) 448 편/관 (Pcs/Tube)
IPD-330 640 편/관 (Pcs/Tube) 504 편/관 (Pcs/Tube)
기종 (Model) Topcon PERC
□ 182 □ 210 □ 182 □ 210
IPD-300 (5관/Tubes) 3700 pcs/h 2950 pcs/h 4750 pcs/h 3800 pcs/h
IPD-330 (6관/Tubes) 5100 pcs/h 4000 pcs/h 6550 pcs/h 5150 pcs/h
기종 (Model) 5 관/Tubes 6 관/Tubes
IPD-300 9570 x 2450 x 3820 -
IPD-330 9570 x 2450 x 4410 9570 x 2450 x 4750
튜브 LP CVD 장치
(Horizontal LP CVD)
LP CVD / T-AlOx(AlOx+SiNx)(한화) / T-aSi(Oxidation+a-Si)(한화)
장비 이름 수평 LP CVD
장비 모델 ILD-400 / ILD-430
장비 적용 TOPCon 태양 전지를 위한 터널 산화물 층, i-Poly 및 D-poly의 증착
기능 1. 더 나은 필름 균일성과 우수한 소형성을 갖춘 저압 및 고온 벽 공정 특성
2. LP CVD 공정에서 밀도가 높은 기판은 코팅 속도에 거의 영향을 미치지 않으며, 단일 튜브의 로딩 용량이 큼
3. 웨이퍼 간의 균일성을 안정적으로 보장하기 위해 더 많은 온도 영역이 있음
4. 공기 흐름 고갈 효과를 보상하기 위해 독립적으로 조정 가능한 분할 공기 흡입구
5. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
사양 최대 호환되는 실리콘 크기 : □ 230mm
      (Max. compatible wafer size : □ 230 mm)
단기관수 : 5관 / 6관
      (tube configuration : 5 tubes / 6 tubes)
기종 (Model) □ 182 □ 210
ILD-400 800 편/관 (Pcs/Tube) 800 편/관 (Pcs/Tube)
ILD-430L 1320 편/관 (Pcs/Tube) 1200 편/관 (Pcs/Tube)
기종 (Model) □ 182 □ 210
ILD-500(5관/Tubes) 2900 pcs/h 2900 pcs/h
ILD-530(6관/Tubes) 4750 pcs/h 4300 pcs/h
기종 (Model) 5 관/Tubes 6 관/Tubes
IPD-300 9570 x 2450 x 3820 -
IPD-330 9570 x 2450 x 4410 9570 x 2450 x 4750
ALD
(Atomic Layer Deposition)
ALD (AlOx)
장비 이름 ALD(Atomic Layer Deposition)
장비 모델 IAL-800
장비 적용 Al2O₃박막을 증착 하여 Passivation Layer를 형성하여 효율을 증대시키는 장비
기능 1. 원자층 증착 공정으로 필름 균일성이 향상됨
2. 동일한 공정 장비 또는 동일한 용광로 튜브에 다층 박막을 증착 하여 공정 단계와 웨이퍼 파손 률을 줄이고 수율을 효과적으로 향상시킴
3. 액체 소스 전구체 증기 전달 및 전구체 신속 전환 기술에 대한 독자적인 연구 개발
4. 공정 확장을 위한 넓은 공간으로 다양한 전구체 및 재료에 대한 패시베이션 층 증착에 적합함
5. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
기종 (Model) □ 182 □ 210
IAD-800 12800 pcs/h 12800 pcs/h
기종 (Model) □ 182
실리콘 웨이퍼 사이즈(mm) Wafer Size 12800 pcs/h
Uptime ≥97%
Cycle Time 2.85min
기종 (Model) 5 관/Tubes 6 관/Tubes
IPD-300 9570 x 2450 x 3820 -
IPD-330 9570 x 2450 x 4410 9570 x 2450 x 4750
단결정설비
(Batch-type Mono-crystalline Texturing Equipment)
Texturing System (Batch Type)
장비 이름 배치형 단결정 텍스처링 장비
장비 모델 IWT-182 / IWT-210
장비 적용 단결정 웨이퍼의 texturing & 웨이퍼의 cleaning에 사용함
프로세스 흐름 사전 세정→모노 텍스처링→ 세정 후/O3 세정→산 세정→온수 건조→건조(참고용)
기능 1. 공정 수조 순환 볼륨 조절 가능
2. 균일한 피라미드 질감, 에칭 깊이 조절 가능
3. 최대 120μm의 웨이퍼 두께 처리 능력
4. 낮은 순수(Deionized Water) 소비량
5. 깨끗하고 건조한 공간과 자체 세정 건조 시스템을 갖추고 있음
6. 빠른 인라인 수조 물 교체
7. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
기종 (Model) 단일 기계 생산 능력
IWT-182 (□ 182 mm) 600 pcs/batch, 12000 pcs/h(100pcs cassette)
IWT-210 (□ 210 mm) 600 pcs/batch, 12000 pcs/h(100pcs cassette)
기종 (Model) IWT-182 / IWT-210
실리콘 웨이퍼 사이즈(mm) Wafer Size 182 / 210 / 230 옵션 Optional
Uptime ≥98%
실리콘 웨이퍼율 ( Breakage Rate ) ≤0.01
세척 통 적재 능력 Loading Capacity 6 통 /개
Cycle Time 2.85min/carrier(User-defined, adjustable)
전력소비 (Power Consumption) 240W +150W +150W(가열기, Heater)
기종 (Model) 외형치수 ( Dimension )
IWT-182(□ 182 mm) 2480 x 2800 x 3200
IWT-210(□ 210 mm) 2680 x 3000 x 3500
RCA세척설비
(Batch-type RCA Cleaning Equipment)
RCA Cleaning System
장비 이름 배치형 RCA 세정 장비
장비 모델 IRC-182 / IRC-210
장비 적용 확산된 실리콘 웨이퍼의 표면 제거 및 세정에 사용
프로세스 흐름 랩 주변 제거→후 세정→산 세정→후 세정→산 세정→열수 건조→열풍 건조(참고용)
기능 1. 다양한 화학 약품 기술을 사용할 수 있음
2. 최대 120μm의 웨이퍼 두께 처리 능력
3. 낮은 순수(Deionized Water) 소비량
4. 깨끗하고 건조한 공간과 자체 세정 건조 시스템을 갖추고 있음
5. 빠른 인라인 수조 물 교체
6. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
기종 (Model) 단일 기계 생산 능력
IWT-182(□ 182 mm) 600 pcs/batch, 12000 pcs/h(100pcs cassette)
IWT-210(□ 210 mm) 600 pcs/batch, 12000 pcs/h(100pcs cassette)
기종 (Model) IWT-182 / IWT-210
실리콘 웨이퍼 사이즈(mm) Wafer Size 182 / 210 / 230 옵션 Optional
Uptime ≥98%
실리콘 웨이퍼율 ( Breakage Rate ) ≤0.01
세척 통 적재 능력 Loading Capacity 6 통 /개
Cycle Time 2.85min/carrier(User-defined, adjustable)
전력소비 (Power Consumption) 240W +150W +150W(가열기, Heater)
기종 (Model) 외형치수 ( Dimension )
IWT-182(□ 182 mm) 2480 x 2800 x 3200
IWT-210(□ 210 mm) 2680 x 3000 x 3500
Inline형  다결정 텍스처링 장비
Texturing System(Inline Type)
장비 이름 Inline형  다결정 텍스처링 장비
장비 모델 IIT-182
장비 적용 다결정 웨이퍼의 texturing & 웨이퍼의 cleaning에 사용함
프로세스 흐름 산 세정→모노 텍스처링→ 산 세정 →세정→온수 건조→건조(참고용)
기능 1. 공정 수조 순환 볼륨 조절 가능
2. 균일한 피라미드 질감, 에칭 깊이 조절 가능
3. 최대 120μm의 웨이퍼 두께 처리 능력
4. 낮은 순수(Deionized Water) 소비량
5. 깨끗하고 건조한 공간과 자체 세정 건조 시스템을 갖추고 있음
6. 빠른 인라인 수조 물 교체
7. 독자적인 MES 소프트웨어 및 생산관리 시스템
기종 (Model) 단일 기계 생산 능력
IIT-182(□ 182 mm) 8 lane/batch, 4800 pcs/h
기종 (Model) IWT-182 / IWT-210
실리콘 웨이퍼 사이즈(mm) Wafer Size 182 / 210 옵션 Optional
Uptime ≥98%
실리콘 웨이퍼율 ( Breakage Rate ) ≤0.01
전력소비 (Power Consumption) 120W +90W +90W(가열기, Heater)
기종 (Model) 외형치수 ( Dimension )
IWT-182(□ 182 mm) 2680 x 5100 x 2300

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